Цоколевка транзистора IRFH5110

|

Характеристики транзистора IRFH5110

• Корпус — PQFN 5 X 6 B
• Напряжение пробоя сток-исток 100 В
• Максимальное напряжение затвора 20 В
• Сопротивление в открытом состоянии 12.4 мОм
• Ток стока 63 А
• Заряд затвора 48.0 нКл
• Термосопротивление 1.1 К/Вт
• Рассеиваемая мощность 114 Вт