Цоколевка транзистора IRFH5210

|

Характеристики транзистора IRFH5210

• Корпус — PQFN 5 X 6 B
• Напряжение пробоя сток-исток 100 В
• Максимальное напряжение затвора 20 В
• Сопротивление в открытом состоянии 14.9 мОм
• Ток стока 55 А
• Заряд затвора 39.0 нКл
• Термосопротивление 1.2 К/Вт
• Рассеиваемая мощность 104 Вт