Цоколевка транзистора IRFH5302D

|

Характеристики транзистора IRFH5302D

• Корпус — PQFN 5 X 6 B
• Напряжение пробоя сток-исток 30 В
• Максимальное напряжение затвора 20 В
• Сопротивление в открытом состоянии 2.5 мОм
• Заряд затвора 26.0 нКл
• Термосопротивление 1.2 К/Вт