Цоколевка транзистора IRFHM830D

|

Характеристики транзистора IRFHM830D

• Корпус — PQFN 3.3 X 3.3
• Напряжение пробоя сток-исток 30 В
• Максимальное напряжение затвора 20 В
• Сопротивление в открытом состоянии 4.3 мОм
• Ток стока 40 А
• Заряд затвора 13.0 нКл
• Термосопротивление 3.4 К/Вт
• Рассеиваемая мощность 37 Вт