Представляю вашему вниманию просто импульсный блок питания на микросхеме IR2153.
Схема импульсного блока питания представляет собой стандартную схему из даташита. Отличие схемы от даташитной лишь в оригинальном способе запитки драйвера и простой, высокоэффективной защите от короткого замыкания и перегрузок.
Драйвер запитывается непосредственно от сети, через диод и гасящий резистор, а не после основного выпрямителя от шины +310В как это делают обычно. Такой способ запитки дает нам сразу несколько преимуществ:
1. Снижает мощность рассеиваемую на гасящем резисторе. Что снижает выделение тепла на плате и повышает общий КПД схемы.
2. В отличает от запитки по шине +310В обеспечивает более низкий уровень пульсаций напряжения питания драйвера.
Защита от перегрузок и КЗ выполнена на паре транзисторов 2N5551/5401. В качестве датчика тока в данной схеме используются резисторы включенные в исток нижнего плеча преобразователя. Это позволяет отказаться от трудоемкого процесса намотки токового трансформатора. С помощью R6 настраивается порог срабатывания защиты.
При КЗ или перегрузке, когда падение напряжения на R10 R11 достигает заданной величины, такой величины при котором на базе VT1 напряжение станет больше 0,6 — 0,7В, сработает защита и питание микросхемы будет шунтировано на землю. Что в свою очередь отключает драйвер и весь БП в целом. Как только перегрузка или КЗ устранено, питание драйвера возобновляется и блок питания продолжает работу в штатном режиме. Светодиод HL1 сигнализирует о срабатывании защиты.
Защита настраивается так. К выходу каждого плеча блока питания подключаются мощные 10 Ом’ные резисторы. Включается блок питания в сеть. Вращением движка R6 добиваемся того чтобы HL1 погас, а затем выставляем движок в такое положение, чтобы HL1 еще не горел, но при минимальном повороте движка в сторону уменьшения тока срабатывания защиты, светодиод загорался. При такой настройке защиты, она будет срабатывать при выходной мощности приблизительно 300Вт. Такой режим работы безопасен для данных ключей (IRF740) и драйвера.
Трансформатор намотан на сердечнике ER35/21/11. Первичная обмотка намотана в два провода 0,63мм2 и содержит 33 витка. Вторичная обмотка состоит из двух половинок, намотанных в три провода 0,63мм2 и каждая половинка содержит по 9 витков.
Внимание! При покупке IRF740 необходимо быть крайне внимательным чтобы не нарваться на подделку, которые встречаются очень часто, особенно на Aliexpress, для этого важно знать как выглядит поддельный IRF740.
На иллюстрации сверху, показаны два вида оригинальных IRF740 производства Vishay и производства IR, а также типичная подделка, которая часто встречается на Aliexpress и в других магазинах.
Кроме внешнего вида, подделку от оригинала легко отличить с помощью транзистор-тестера:
Если установить в панельку транзистор-тестера оригинальный транзистор, то отображаемое значение емкость будет: C=2,6…2,7 нФ. Подделки имеют гораздо меньший кристалл, чем оригинальный транзистор и поэтому транзистор-тестер, в случае установки в него поддельного транзистора, выдаст другое — меньшее значение емкости: C=0,9…1,5 нФ. Постойте, но ведь в даташите IRF740 указана емкость 1,4 нФ, почему тогда оригинал должен иметь емкость около 2,7 нФ ? Подобный вопрос обязательно должен у кого-нибудь возникнуть. Отвечаю. Емкость указанная в даташите измерена при совершенно других условиях (напряжение затвор-исток = 0 В, напряжение сток-исток = 25 В, частота = 1 МГц), отличных от тех, при которых измеряет емкость транзистор-тестер, поэтому сравнивать значение емкостей из транзистор-тестера и даташита — просто бессмысленно.
И последнее. Кто-то наверняка сказал: ну и что, что не оригинал, зато дешевле, какая разница?! Хорошо, если бы разница была только в цене, но нет! Оригинальный транзистор — это транзистор, который соответствует всем заявленным производителем параметрам из даташита. Поддельный транзистор — это транзистор, который не соответствует никаким параметрам. По сути, подделка — это другой транзистор. Подделка, на которой написано «IRF740», по своим параметрам может являться чем угодно, но только не IRF740. Часто подделка — это другой, более дешевый и маломощный транзистор, перемаркированный под другой, более дорогой транзистор. Другими словами, по-простому, если собрав ИИП на оригинальных IRF740 вы сможете легко и непринужденно, долговременно снять 300 Вт мощности, а кратковременно и того больше, то собрав тот же ИИП на поддельных «IRF740», вы можете получить фейерверк при попытке снять более 100 Вт, а иногда даже при первом же включении.
Печатная плата выполнена в формате Sprint-Layout. Распечатке на лазерном принтере зеркалить ее не нужно.
Список радиоэлементов
| Обозначение | Тип | Номинал | Количество | Примечание | Магазин | Мой блокнот |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Драйвер питания и MOSFET | IR2153 | 1 | ||||
| VT1 | Биполярный транзистор | 2N5551 | 1 | |||
| VT2 | Биполярный транзистор | 2N5401 | 1 | |||
| VT3, VT4 | MOSFET-транзистор | IRF740 | 2 | |||
| VD1, VD2 | Выпрямительный диод | HER108 | 2 | |||
| VDS1 | Диодный мост | RS405L | 1 | Или другой до 1000В | ||
| VDS2 | Выпрямительный диод | FR607 | 4 | Или Шоттки с похожими характеристиками | ||
| VDR1 | Термистор | 250В | 1 | |||
| R1, R5 | Резистор | 10 кОм | 2 | 0.25 Вт | ||
| R2 | Резистор | 18 кОм | 1 | 2 Вт | ||
| R3, R9 | Резистор | 100 Ом | 2 | 0.25 Вт | ||
| R4 | Резистор | 15 кОм | 1 | 0.25 Вт | ||
| R6 | Переменный резистор | 10 кОм | 1 | |||
| R7, R8 | Резистор | 33 Ом | 2 | 2 Вт | ||
| R10, R11 | Резистор | 0.2 Ом | 2 | Можно цементный аксиальный | ||
| С1-С3, С15, С16 | Конденсатор | 100 нФ 1000В | 5 | Пленочный | ||
| С4 | Электролитический конденсатор | 220 мкФ х 16В | 1 | |||
| С5, С6 | Конденсатор | 1 нФ х 50В | 2 | Керамический | ||
| C7 | Конденсатор | 680 нФ 50В | 1 | Керамический | ||
| С8 | Электролитический конденсатор | 330 мкФ х 400В | 1 | |||
| C9, C10 | Конденсатор | 1 мкФ х 630В | 2 | Пленочный | ||
| С11, С12, C14. C14 | Электролитический конденсатор | 470 мкФ х 63В | 4 | |||
| HL | Светодиод | 1 | Можно любого цвета | |||
| F1 | Предохранитель | 3А | 1 | |||