Цоколевка транзистора 2N1131

|

Характеристики транзистора 2N1131

• Структура — p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -35 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -50 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -0.6 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.8 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 20 до 45
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 50 МГц
• Корпус: TO-39