Транзистор 2N3055 – мощный биполярный транзистор n-p-n типа, который может быть использован в различных устройствах: в источниках питания, в аудио усилителях, в схемах переключения и т.д. В данной статье приведены его подробные электрические характеристики в соответствии с документацией производителя «ON Semiconductor».

Цоколевка транзистора 2N3055

|

Характеристики транзистора 2N3055

• Структура — n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 60 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 100 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 7 V
• Ток коллектора, не более: 15 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 115 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 20 до 70
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 3 МГц
• Корпус: TO-3

Комплементарная пара

Комплементарной парой для 2N3055 является транзистор MJ2955 c p-n-p структурой.

Аналоги

Транзистор 2N3055 можно заменить на 2N3055A, 2N3055AG, 2N3055G, 2N3055H, 2N5038, 2N5039, 2N5630, 2N5671, 2N5672, 2N6676, 2N6677, 2N6678, BD130, BUX48, BUX48A, MJ12022, MJ15015, MJ15015G, NTE130