Цоколевка транзистора 2N3585

|

Характеристики транзистора 2N3585

• Структура — n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 300 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 500 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 6 V
• Ток коллектора, не более: 2 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 35 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 25 до 100
• Корпус: TO-66

Комплементарная пара

Комплементарной парой для 2N3585 является транзистор 2N6422 c p-n-p структурой.