Цоколевка транзистора 2N3636

|

Характеристики транзистора 2N3636

• Структура — p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -175 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -175 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -1 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 5 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 50 до 150
• Корпус: TO-39

Аналоги

Транзистор 2N3636 можно заменить на 2N5415