Цоколевка транзистора 2N3646

|

Характеристики транзистора 2N3646

• Структура — p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -15 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -40 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -0.2 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.2 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 30 до 120
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 350 МГц
• Корпус: TO-106