Цоколевка транзистора 2N3739

|

Характеристики транзистора 2N3739

• Структура — n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 300 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 325 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 6 V
• Ток коллектора, не более: 1 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 20 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 40 до 200
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 10 МГц
• Корпус: TO-66

Комплементарная пара

Комплементарной парой для 2N3739 является транзистор 2N6425 c p-n-p структурой.