Цоколевка транзистора 2N3767

|

Характеристики транзистора 2N3767

• Структура — n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 80 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 100 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 6 V
• Ток коллектора, не более: 4 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 25 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 40 до 160
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 10 МГц
• Корпус: TO-66

Аналоги

Транзистор 2N3767 можно заменить на 2SC1113