Цоколевка транзистора 2N4900

|

Характеристики транзистора 2N4900

• Структура — p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -80 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -80 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -1 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 25 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 20 до 100
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 3 МГц
• Корпус: TO-66

Комплементарная пара

Комплементарной парой для 2N4900 является транзистор 2N4912 c n-p-n структурой.

Аналоги

Транзистор 2N4900 можно заменить на 2N6211, 2N6212, 2N6213, 2N6372, 2N6467, 2N6468