Цоколевка транзистора 2N5415

|

Характеристики транзистора 2N5415

• Структура — p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -200 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -200 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -4 V
• Ток коллектора, не более: -1 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 1 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 30 до 150
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 15 МГц
• Корпус: TO-39