Цоколевка транзистора 2N5551G

|

Характеристики транзистора 2N5551G

• Структура — n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 160 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 180 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 6 V
• Ток коллектора, не более: 0.6 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 80 до 250
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 100 МГц
• Корпус: TO-92

Аналоги

Транзистор 2N5551G можно заменить на 2N5551, 2N5833, NTE194