Цоколевка транзистора 2N5655G

|

Характеристики транзистора 2N5655G

• Структура — n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 250 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 275 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 6 V
• Ток коллектора, не более: 0.5 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 20 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 30 до 250
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 10 МГц
• Корпус: TO-126

Аналоги

Транзистор 2N5655G можно заменить на 2N5655, 2N5656, 2N5656G, 2N5657, 2N5657G, 2SC2899, BD127, BD128, BD129