Цоколевка транзистора 2N5672

|

Характеристики транзистора 2N5672

• Структура — n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 120 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 150 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 7 V
• Ток коллектора, не более: 30 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 140 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 20 до 100
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 40 МГц
• Корпус: TO-3