Цоколевка транзистора 2N5683G

|

Характеристики транзистора 2N5683G

• Структура — p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -60 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -60 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -50 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 300 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 15 до 60
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 2 МГц
• Корпус: TO-3

Комплементарная пара

Комплементарной парой для 2N5683G является транзистор 2N5685G c n-p-n структурой.

Аналоги

Транзистор 2N5683G можно заменить на 2N5683, 2N5684, 2N5684G, MJ14001, MJ14001G, MJ14003, MJ14003G