Цоколевка транзистора 2N5869

|

Характеристики транзистора 2N5869

• Структура — n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 60 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 60 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
• Ток коллектора, не более: 5 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 87.5 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 20 до 100
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 4 МГц
• Корпус: TO-3

Комплементарная пара

Комплементарной парой для 2N5869 является транзистор 2N5867 c p-n-p структурой.

Аналоги

Транзистор 2N5869 можно заменить на 2N5038, 2N5039, 2N5671, 2N5672, 2N5870, 2N5873, 2N5874, 2N5877, 2N5878, 2N5881, 2N5882, 2N5885, 2N5885G, 2N5886, 2N5886G, 2N6315, 2N6316, 2N6471, 2N6472, 2N6676, 2N6677, 2N6678, 2SC1618, 2SC1619, 2SD820, 2SD821, 2SD822, 2SD870, 2SD871, BUX48, BUX48A, BUY691, BUY69B, BUY69C, BUY701, BUY70B, BUY70C, MJ12004, MJ12005, MJ12020, MJ12021, MJ12022, MJ13070, MJ13071, MJ14000, MJ14000G, MJ14002, MJ14002G, MJ15011, MJ15011G, MJ16002, MJ16004, MJ16006, MJ16008, MJ2840, MJ2841, MJ8502, MJ8503, MJ8504, MJ8505