Цоколевка транзистора 2N5870

|

Характеристики транзистора 2N5870

• Структура — n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 80 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 80 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
• Ток коллектора, не более: 5 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 87.5 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 20 до 100
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 4 МГц
• Корпус: TO-3

Комплементарная пара

Комплементарной парой для 2N5870 является транзистор 2N5868 c p-n-p структурой.

Аналоги

Транзистор 2N5870 можно заменить на 2N5038, 2N5039, 2N5671, 2N5672, 2N5874, 2N5878, 2N5882, 2N5886, 2N5886G, 2N6316, 2N6472, 2N6676, 2N6677, 2N6678, 2SC1619, 2SD820, 2SD821, 2SD822, 2SD870, 2SD871, BUX48, BUX48A, BUY691, BUY69B, BUY69C, BUY701, BUY70B, BUY70C, MJ12004, MJ12005, MJ12020, MJ12021, MJ12022, MJ13070, MJ13071, MJ14002, MJ14002G, MJ15011, MJ15011G, MJ16002, MJ16004, MJ16006, MJ16008, MJ2841, MJ8502, MJ8503, MJ8504, MJ8505