Цоколевка транзистора 2N5876

|

Характеристики транзистора 2N5876

• Структура — p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -80 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -80 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -10 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 150 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 20 до 100
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 4 МГц
• Корпус: TO-3

Комплементарная пара

Комплементарной парой для 2N5876 является транзистор 2N5878 c n-p-n структурой.

Аналоги

Транзистор 2N5876 можно заменить на 2N5880, 2N5884, 2N5884G, 2N6247, 2N6248, MJ14003, MJ14003G, MJ15012, MJ15012G, MJ2941