Цоколевка транзистора 2N5886G

|

Характеристики транзистора 2N5886G

• Структура — n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 80 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 80 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
• Ток коллектора, не более: 25 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 200 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 20 до 100
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 4 МГц
• Корпус: TO-3

Комплементарная пара

Комплементарной парой для 2N5886G является транзистор 2N5884G c p-n-p структурой.

Аналоги

Транзистор 2N5886G можно заменить на 2N5671, 2N5672, 2N5886, MJ14002, MJ14002G