Цоколевка транзистора 2N6032

|

Характеристики транзистора 2N6032

• Структура — n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 90 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 120 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 7 V
• Ток коллектора, не более: 50 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 140 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 10 до 40
• Корпус: TO-3