Цоколевка транзистора 2N6079

|

Характеристики транзистора 2N6079

• Структура — n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 350 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 375 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 6 V
• Ток коллектора, не более: 7 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 45 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 12 до 70
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 7 МГц
• Корпус: TO-66