Цоколевка транзистора 2N6109G

|

Характеристики транзистора 2N6109G

• Структура — p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -50 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -60 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -7 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 40 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 30 до 150
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 4 МГц
• Корпус: TO-220

Комплементарная пара

Комплементарной парой для 2N6109G является транзистор 2N6290G c n-p-n структурой.

Аналоги

Транзистор 2N6109G можно заменить на 2N6107, 2N6107G, 2N6108, 2N6109, 2N6110, 2N6490, 2N6490G, 2N6491, 2N6491G, BD204, BD304, BD708, BD710, BD712, BD744A, BD744B, BD744C, BD798, BD800, BD802, BD808, BD810, BD908, BD910, BD912, BDT92, BDT92F, BDT94, BDT94F, BDT96, BDT96F, BDX78, MJE5850, MJE5850G, MJE5851, MJE5851G, MJE5852, MJE5852G, NTE197