Цоколевка транзистора 2N6330

|

Характеристики транзистора 2N6330

• Структура — n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 80 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 80 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
• Ток коллектора, не более: 30 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 200 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 6 до 30
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 3 МГц
• Корпус: TO-3

Аналоги

Транзистор 2N6330 можно заменить на 2N6327, 2N6328, 2N6331