Цоколевка транзистора 2N6475

|

Характеристики транзистора 2N6475

• Структура — p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -100 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -110 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -4 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 40 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 15 до 150
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 5 МГц
• Корпус: TO-220

Комплементарная пара

Комплементарной парой для 2N6475 является транзистор 2N6473 c n-p-n структурой.

Аналоги

Транзистор 2N6475 можно заменить на 2N6476, MJE5850, MJE5850G, MJE5851, MJE5851G, MJE5852, MJE5852G, NTE292