Цоколевка транзистора 2N6512

|

Характеристики транзистора 2N6512

• Структура — n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 300 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 400 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 7 V
• Ток коллектора, не более: 7 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 120 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 10 до 50
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 3 МГц
• Корпус: TO-3

Аналоги

Транзистор 2N6512 можно заменить на 2N6251, 2N6513, 2N6676, 2N6677, 2N6678, 2SD822, BUX48, BUX48A, MJ12021, MJ12022, MJ16006, MJ16008, MJ8504, MJ8505