Цоколевка транзистора 2N6520

|

Характеристики транзистора 2N6520

• Структура — p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -350 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -350 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -6 V
• Ток коллектора, не более: -0.5 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 20 до 200
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 40 МГц
• Корпус: TO-92

Комплементарная пара

Комплементарной парой для 2N6520 является транзистор 2N6517 c n-p-n структурой.