Цоколевка транзистора 2N6649

|

Характеристики транзистора 2N6649

• Структура — p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -60 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -60 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -10 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 100 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 1000 до 20000
• Корпус: TO-3

Комплементарная пара

Комплементарной парой для 2N6649 является транзистор 2N6384 c n-p-n структурой.

Аналоги

Транзистор 2N6649 можно заменить на 2N6650, 2SA746, 2SA747, 2SA747A, 2SA907, 2SA908, 2SA909, 2SB722, BDX64, BDX64A, BDX64B, BDX64C, BDX66, BDX66A, BDX66B, BDX66C, BDX68, BDX68A, BDX68B, BDX68C, MJ11011, MJ11011G, MJ11013, MJ11013G, MJ11015, MJ11015G, MJ2500, MJ2501, MJ4030, MJ4031, MJ4032, TIP605, TIP606, TIP607, TIP645, TIP646, TIP647