Цоколевка транзистора 2N6668G

|

Характеристики транзистора 2N6668G

• Структура — p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -80 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -80 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -10 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 65 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 1000 до 20000
• Корпус: TO-220

Комплементарная пара

Комплементарной парой для 2N6668G является транзистор 2N6388G c n-p-n структурой.

Аналоги

Транзистор 2N6668G можно заменить на 2N6668, BD546B, BD546C, BD810, BDT62A, BDT62B, BDT62C, BDT64A, BDT64B, BDT64C, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDW46, BDW46G, BDW47, BDW47G, BDW48, BDX34B, BDX34BG, BDX34C, BDX34CG, BDX34D, TIP147T