Цоколевка транзистора 2N6675

|

Характеристики транзистора 2N6675

• Структура — n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 400 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 650 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 7 V
• Ток коллектора, не более: 15 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 175 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 3 до 10
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 50 МГц
• Корпус: TO-3