Цоколевка транзистора 2N706B

|

Характеристики транзистора 2N706B

• Структура — n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 15 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 25 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
• Ток коллектора, не более: 0.05 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 1 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 20 до 60
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 200 МГц
• Корпус: TO-18

Аналоги

Транзистор 2N706B можно заменить на 2N2220, 2N706, 2N706A