Цоколевка транзистора 2SA1006B-R
|
Характеристики транзистора 2SA1006B-R
- Структура — p-n-p
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -250 В
- Напряжение коллектор-база, не более: -250 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
- Ток коллектора, не более: -1.5 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 25 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 60 до 120
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 80 МГц
- Корпус: TO-220
Классификация по hFE
Транзисторы серии 2SA1006B делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SA1006B-R имеет коэффициент усиления в диапазоне от 60 до 120, 2SA1006B-Q — в диапазоне от 100 до 200, 2SA1006B-P — в диапазоне от 160 до 320.
Маркировка
Обозначение на корпусе транзистора 2SA1006B-R часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как «A1006B-R«.
Комплементарная пара
Комплементарной парой для 2SA1006B-R является транзистор 2SC2336B-R c n-p-n структурой.
Аналоги
Транзистор 2SA1006B-R можно заменить на MJE15033, MJE15033G, MJE5850, MJE5850G, MJE5851, MJE5851G, MJE5852, MJE5852G