Цоколевка транзистора 2SA2169

|

Характеристики транзистора 2SA2169

• Структура — p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -50 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -50 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -6 V
• Ток коллектора, не более: -10 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 20 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 200 до 560
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 130 МГц
• Корпус: TO-251

Маркировка

Обозначение на корпусе транзистора 2SA2169 часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как «A2169«.

Комплементарная пара

Комплементарной парой для 2SA2169 является транзистор 2SC6017 c n-p-n структурой.