Цоколевка транзистора 2SB1009-Q

|

Характеристики транзистора 2SB1009-Q

• Структура — p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -32 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -40 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -2 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 10 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 120 до 270
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 100 МГц
• Корпус: TO-126

Классификация по hFE

Транзисторы серии 2SB1009 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB1009-P имеет коэффициент усиления в диапазоне от 82 до 180, 2SB1009-Q — в диапазоне от 120 до 270, 2SB1009-R — в диапазоне от 180 до 390.

Маркировка

Обозначение на корпусе транзистора 2SB1009-Q часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как «B1009-Q«.

Комплементарная пара

Комплементарной парой для 2SB1009-Q является транзистор 2SD1380-Q c n-p-n структурой.

Аналоги

Транзистор 2SB1009-Q можно заменить на 2SA1214, 2SB744, 2SB744A, 2SB986, BD132, BD188, BD190, BD234, BD234G, BD236, BD236G, BD238, BD238G, BD376, BD378, BD380, KSB744, KSB744A, MJE232, MJE235, MJE252, MJE254, MJE371, MJE371G