Цоколевка транзистора 2SB1116K

|

Характеристики транзистора 2SB1116K

• Структура — p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -50 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -60 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -6 V
• Ток коллектора, не более: -1 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.75 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 200 до 400
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 70 МГц
• Корпус: TO-92

Классификация по hFE

Транзисторы серии 2SB1116 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB1116L имеет коэффициент усиления в диапазоне от 135 до 270, 2SB1116K — в диапазоне от 200 до 400, 2SB1116U — в диапазоне от 300 до 600, 2SB1116-L — в диапазоне от 135 до 270, 2SB1116-K — в диапазоне от 200 до 400, 2SB1116-U — в диапазоне от 300 до 600.

Маркировка

Обозначение на корпусе транзистора 2SB1116K часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как «B1116K«.

Комплементарная пара

Комплементарной парой для 2SB1116K является транзистор 2SD1616K c n-p-n структурой.

Аналоги

Транзистор 2SB1116K можно заменить на 2SA1680, 2SA1761, 2SB1116A, 2SB1116A-K, 2SB1116AK, 2SB892, 2SB892-T, 2SB985, 2SB985T, KSB1116, KSB1116-G, KSB1116A, KSB1116A-G, KSB1116S, KSB1116S-G