Цоколевка транзистора 2SB1116L
|
Характеристики транзистора 2SB1116L
- Структура — p-n-p
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -50 В
- Напряжение коллектор-база, не более: -60 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: -6 V
- Ток коллектора, не более: -1 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.75 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 135 до 270
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 70 МГц
- Корпус: TO-92
Классификация по hFE
Транзисторы серии 2SB1116 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB1116L имеет коэффициент усиления в диапазоне от 135 до 270, 2SB1116K — в диапазоне от 200 до 400, 2SB1116U — в диапазоне от 300 до 600, 2SB1116-L — в диапазоне от 135 до 270, 2SB1116-K — в диапазоне от 200 до 400, 2SB1116-U — в диапазоне от 300 до 600.
Маркировка
Обозначение на корпусе транзистора 2SB1116L часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как «B1116L«.
Комплементарная пара
Комплементарной парой для 2SB1116L является транзистор 2SD1616L c n-p-n структурой.
Аналоги
Транзистор 2SB1116L можно заменить на 2SA1275, 2SA1283, 2SA1534A, 2SA1680, 2SA1761, 2SA684, 2SB1116A, 2SB1116A-L, 2SB1116AL, 2SB647, 2SB740, 2SB764, 2SB892, 2SB985, KSA1013, KSB1116, KSB1116-Y, KSB1116A, KSB1116A-Y, KSB1116S, KSB1116S-Y, KTA1275, KTB764