Цоколевка транзистора 2SB1121-R

|

Характеристики транзистора 2SB1121-R

• Структура — p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -25 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -30 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -6 V
• Ток коллектора, не более: -2 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.5 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 100 до 200
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 150 МГц
• Корпус: SOT-89

Классификация по hFE

Транзисторы серии 2SB1121 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB1121-R имеет коэффициент усиления в диапазоне от 100 до 200, 2SB1121-S — в диапазоне от 140 до 280, 2SB1121-T — в диапазоне от 200 до 400, 2SB1121-U — в диапазоне от 280 до 560.

Маркировка

Обозначение на корпусе транзистора 2SB1121-R часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как «B1121-R«.

Комплементарная пара

Комплементарной парой для 2SB1121-R является транзистор 2SD1621-R c n-p-n структурой.

Аналоги

Транзистор 2SB1121-R можно заменить на 2DA1213, 2SA1213