Цоколевка транзистора 2SB1136-Q
|
Характеристики транзистора 2SB1136-Q
- Структура — p-n-p
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -50 В
- Напряжение коллектор-база, не более: -60 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: -6 V
- Ток коллектора, не более: -12 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 30 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 70 до 140
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 10 МГц
- Корпус: TO-220F
Классификация по hFE
Транзисторы серии 2SB1136 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB1136-Q имеет коэффициент усиления в диапазоне от 70 до 140, 2SB1136-R — в диапазоне от 100 до 200, 2SB1136-S — в диапазоне от 140 до 280.
Маркировка
Обозначение на корпусе транзистора 2SB1136-Q часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как «B1136-Q«.
Комплементарная пара
Комплементарной парой для 2SB1136-Q является транзистор 2SD1669-Q c n-p-n структурой.
Аналоги
Транзистор 2SB1136-Q можно заменить на 2N6490, 2N6490G, 2N6491, 2N6491G, 2SA1328, 2SA1328-O, 2SA1329, 2SA1329-O, 2SA1452A, 2SA1452A-O, 2SB826, 2SB826-Q, BD546A, BD546B, BD546C, BD708, BD710, BD712, BD744A, BD744B, BD744C, BD908, BD910, BD912, BDT82, BDT82F, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, FJP1943, FJPF1943