Цоколевка транзистора 2SB1151-L
|
Характеристики транзистора 2SB1151-L
- Структура — p-n-p
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -60 В
- Напряжение коллектор-база, не более: -60 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: -7 V
- Ток коллектора, не более: -5 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 20 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 160 до 320
- Корпус: TO-126
Классификация по hFE
Транзисторы серии 2SB1151 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB1151-M имеет коэффициент усиления в диапазоне от 100 до 200, 2SB1151-L — в диапазоне от 160 до 320, 2SB1151-K — в диапазоне от 200 до 400.
Маркировка
Обозначение на корпусе транзистора 2SB1151-L часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как «B1151-L«.
Комплементарная пара
Комплементарной парой для 2SB1151-L является транзистор 2SD1691-L c n-p-n структурой.
Аналоги
Транзистор 2SB1151-L можно заменить на KSB1151, KSB1151-Y, KTB1151, KTB1151-O