Цоколевка транзистора 2SB1151-M

|

Характеристики транзистора 2SB1151-M

• Структура — p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -60 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -60 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -7 V
• Ток коллектора, не более: -5 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 20 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 100 до 200
• Корпус: TO-126

Классификация по hFE

Транзисторы серии 2SB1151 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB1151-M имеет коэффициент усиления в диапазоне от 100 до 200, 2SB1151-L — в диапазоне от 160 до 320, 2SB1151-K — в диапазоне от 200 до 400.

Маркировка

Обозначение на корпусе транзистора 2SB1151-M часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как «B1151-M«.

Комплементарная пара

Комплементарной парой для 2SB1151-M является транзистор 2SD1691-M c n-p-n структурой.

Аналоги

Транзистор 2SB1151-M можно заменить на KSB1151, KSB1151-O