Цоколевка транзистора 2SB1155-P

|

Характеристики транзистора 2SB1155-P

• Структура — p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -80 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -130 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -7 V
• Ток коллектора, не более: -15 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 80 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 130 до 260
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 25 МГц
• Корпус: TO-3PF

Классификация по hFE

Транзисторы серии 2SB1155 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB1155-Q имеет коэффициент усиления в диапазоне от 90 до 180, 2SB1155-P — в диапазоне от 130 до 260.

Маркировка

Обозначение на корпусе транзистора 2SB1155-P часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как «B1155-P«.

Комплементарная пара

Комплементарной парой для 2SB1155-P является транзистор 2SD1706-P c n-p-n структурой.

Аналоги

Транзистор 2SB1155-P можно заменить на 2SB1156, 2SB1156-P