Цоколевка транзистора 2SB1159-P

|

Характеристики транзистора 2SB1159-P

• Структура — p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -140 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -140 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -7 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 80 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 100 до 200
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 20 МГц
• Корпус: TO-3PF

Классификация по hFE

Транзисторы серии 2SB1159 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB1159-Q имеет коэффициент усиления в диапазоне от 60 до 120, 2SB1159-S — в диапазоне от 80 до 160, 2SB1159-P — в диапазоне от 100 до 200.

Маркировка

Обозначение на корпусе транзистора 2SB1159-P часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как «B1159-P«.

Комплементарная пара

Комплементарной парой для 2SB1159-P является транзистор 2SD1714-P c n-p-n структурой.

Аналоги

Транзистор 2SB1159-P можно заменить на 2SB1160, 2SB1160-P, 2SB1161, 2SB1161-P