Цоколевка транзистора 2SB1186-F

|

Характеристики транзистора 2SB1186-F

• Структура — p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -120 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -120 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -1.5 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 20 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 160 до 320
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 50 МГц
• Корпус: TO-220F

Классификация по hFE

Транзисторы серии 2SB1186 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB1186-E имеет коэффициент усиления в диапазоне от 100 до 200, 2SB1186-F — в диапазоне от 160 до 320.

Маркировка

Обозначение на корпусе транзистора 2SB1186-F часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как «B1186-F«.

Комплементарная пара

Комплементарной парой для 2SB1186-F является транзистор 2SD1763-F c n-p-n структурой.

Аналоги

Транзистор 2SB1186-F можно заменить на 2SA1006, 2SA1006-P, 2SA1006A, 2SA1006A-P, 2SA1006B, 2SA1006B-P, 2SA1078, 2SA1667, 2SA1668, 2SA1930, 2SA985, 2SA985-P, 2SA985A, 2SA985A-P, 2SB547, BD956, BDT88, BDT88F, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJE15033, MJE15033G, MJE15035, MJE15035G, MJE5850, MJE5850G, MJE5851, MJE5851G, MJE5852, MJE5852G, MJF15031, MJF15031G