Цоколевка транзистора 2SB1299Q
|
Характеристики транзистора 2SB1299Q
- Структура — p-n-p
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -60 В
- Напряжение коллектор-база, не более: -60 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: -6 V
- Ток коллектора, не более: -3 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 40 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 300 до 500
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 30 МГц
- Корпус: TO-220F
Классификация по hFE
Транзисторы серии 2SB1299 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB1299Q имеет коэффициент усиления в диапазоне от 300 до 500, 2SB1299P — в диапазоне от 400 до 700.
Маркировка
Обозначение на корпусе транзистора 2SB1299Q часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как «B1299Q«.
Комплементарная пара
Комплементарной парой для 2SB1299Q является транзистор 2SD1273Q c n-p-n структурой.
Аналоги
Транзистор 2SB1299Q можно заменить на 2SA1262, 2SA1488, 2SA1488A, 2SA770, 2SA771, BD204, BD242A, BD242B, BD242C, BD244A, BD244B, BD244C, BD304, BD536, BD538, BD540A, BD540B, BD540C, BD544A, BD544B, BD544C, BD546A, BD546B, BD546C, BD798, BD800, BD802, BD808, BD810, BD950, BD952, BD954, BD956, BDT82, BDT82F, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDX78, D44C10, D44C11, D44C12, D44C7, D44C8, D44C9, D45C10, D45C11, D45C12, D45C7, D45C8, D45C9, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJE15033, MJE15033G, MJE15035, MJE15035G, MJE5850, MJE5850G, MJE5851, MJE5851G, MJE5852, MJE5852G, MJF15031, MJF15031G