Цоколевка транзистора 2SB1375
|
Характеристики транзистора 2SB1375
- Структура — p-n-p
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -60 В
- Напряжение коллектор-база, не более: -60 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: -7 V
- Ток коллектора, не более: -3 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 25 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 100 до 320
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 9 МГц
- Корпус: TO-220
Маркировка
Обозначение на корпусе транзистора 2SB1375 часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как «B1375«.
Комплементарная пара
Комплементарной парой для 2SB1375 является транзистор 2SD2012 c n-p-n структурой.
Аналоги
Транзистор 2SB1375 можно заменить на 2SA1262, 2SA1488, 2SA1488A, 2SA1634, 2SA1635, 2SA770, 2SA771, 2SB1187, 2SB1565, 2SB507, 2SB633, 2SB858, BD204, BD242A, BD242B, BD242C, BD244A, BD244B, BD244C, BD304, BD536, BD538, BD540A, BD540B, BD540C, BD544A, BD544B, BD544C, BD546A, BD546B, BD546C, BD798, BD800, BD802, BD808, BD810, BD950, BD952, BD954, BD956, BDT82, BDT82F, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDX78, D44C10, D44C11, D44C12, D44C7, D44C8, D44C9, D45C10, D45C11, D45C12, D45C7, D45C8, D45C9, KSB1366, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJE15033, MJE15033G, MJE15035, MJE15035G, MJE5850, MJE5850G, MJE5851, MJE5851G, MJE5852, MJE5852G, MJF15031, MJF15031G