Транзистор 2SB502A-R

Цоколевка транзистора 2SB502A-R

|Цоколевка транзистора 2SB502A-R (маркируется как B502A-R)

Характеристики транзистора 2SB502A-R

  • Структура — p-n-p
  • Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -80 В
  • Напряжение коллектор-база, не более: -110 В
  • Напряжение эмиттер-база, не более: -10 V
  • Ток коллектора, не более: -3 А
  • Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 25 Вт
  • Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 30 до 70
  • Граничная частота коэффициента передачи тока: 5 МГц
  • Корпус: TO-66

Классификация по hFE

Транзисторы серии 2SB502A делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB502A-R имеет коэффициент усиления в диапазоне от 30 до 70, 2SB502A-O — в диапазоне от 50 до 140, 2SB502A-Y — в диапазоне от 100 до 280.

Маркировка

Обозначение на корпусе транзистора 2SB502A-R часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как «B502A-R«.

Аналоги

Транзистор 2SB502A-R можно заменить на 2N6467, 2N6468