Цоколевка транзистора 2SB502A-Y
|
Характеристики транзистора 2SB502A-Y
- Структура — p-n-p
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -80 В
- Напряжение коллектор-база, не более: -110 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: -10 V
- Ток коллектора, не более: -3 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 25 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 100 до 280
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 5 МГц
- Корпус: TO-66
Классификация по hFE
Транзисторы серии 2SB502A делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB502A-R имеет коэффициент усиления в диапазоне от 30 до 70, 2SB502A-O — в диапазоне от 50 до 140, 2SB502A-Y — в диапазоне от 100 до 280.
Маркировка
Обозначение на корпусе транзистора 2SB502A-Y часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как «B502A-Y«.
Комплементарная пара
Комплементарной парой для 2SB502A-Y является транзистор 2SD877-Y c n-p-n структурой.