Цоколевка транзистора 2SB552-BN
|
Характеристики транзистора 2SB552-BN
- Структура — p-n-p
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -180 В
- Напряжение коллектор-база, не более: -220 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
- Ток коллектора, не более: -15 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 150 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 25 до 50
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 4 МГц
- Корпус: TO-3
Классификация по hFE
Транзисторы серии 2SB552 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB552-BN имеет коэффициент усиления в диапазоне от 25 до 50, 2SB552-R — в диапазоне от 40 до 80.
Маркировка
Обозначение на корпусе транзистора 2SB552-BN часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как «B552-BN«.
Комплементарная пара
Комплементарной парой для 2SB552-BN является транзистор 2SD552-DN c n-p-n структурой.
Аналоги
Транзистор 2SB552-BN можно заменить на MJ15023, MJ15023G, MJ15025, MJ15025G, MJ21193, MJ21193G, MJ21195, MJ21195G